化学气相沉积

取自 食品百科全书

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	[英文]: chemical vapor deposition		[英文]: chemical vapor deposition
-	[说明]: 简称CVD。利用挥发性化合物，通过气相反应沉积某种单质或化合物的一种方法。广泛用于提纯物质，制备单晶、多晶或玻璃态无机薄膜或涂层。例如，工业上用TiCl4—N2—H2或SiCl4—NH3—N2混合气在衬底物质上产生氮化钛或氮化硅等耐高温涂层。用SiCl4H2或SiH4沉积高纯硅，其他Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物如砷化镓、硫化锌等半导体材料或薄膜也可用CVD法制备。还可用于有机金属化合物的热解，制备高粘结性的金属膜。制备X射线靶材料钼和钨以及石英玻璃光纤材料等。应用极为广泛。缺点是有时所需温度较高。	+	[说明]: 简称CVD。利用挥发性[[化合物]]，通过气相反应沉积某种单质或化合物的一种方法。广泛用于提纯物质，制备单晶、多晶或玻璃态无机薄膜或涂层。例如，工业上用TiCl4—N2—H2或SiCl4—NH3—N2混合气在衬底物质上产生氮化钛或氮化硅等耐高温涂层。用SiCl4H2或SiH4沉积高纯硅，其他Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物如砷化镓、硫化锌等半导体材料或薄膜也可用CVD法制备。还可用于有机金属化合物的热解，制备高粘结性的金属膜。制备X射线靶材料钼和钨以及石英玻璃光纤材料等。应用极为广泛。缺点是有时所需温度较高。
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当前修订版本

[中文]: 化学气相沉积

[英文]: chemical vapor deposition

[说明]: 简称CVD。利用挥发性化合物，通过气相反应沉积某种单质或化合物的一种方法。广泛用于提纯物质，制备单晶、多晶或玻璃态无机薄膜或涂层。例如，工业上用TiCl4—N2—H2或SiCl4—NH3—N2混合气在衬底物质上产生氮化钛或氮化硅等耐高温涂层。用SiCl4H2或SiH4沉积高纯硅，其他Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物如砷化镓、硫化锌等半导体材料或薄膜也可用CVD法制备。还可用于有机金属化合物的热解，制备高粘结性的金属膜。制备X射线靶材料钼和钨以及石英玻璃光纤材料等。应用极为广泛。缺点是有时所需温度较高。